26.09.2016

Preiswerte Leistungstransistoren

_p3_sto364_hiposwitch.jpgSolarthemen 364: Vom EU-Projekt „HiPoSwitch“ versprechen sich Forscher und Industrie einen Quantensprung bei der Nutzung von Gallium-Nitrid (GaN) für Leistungstransistoren – auch für Solarelektronik. Bislang stellt man die eigentlich preiswerten GaN-Halbleiter epitaktisch (in Schichten abgelagert) auf SiC-Wafern her. Die sind über 30-mal so teuer wie gleichgroße Si-Wafer.

Foto: FBH/schurian.com

Den vollständigen Artikel lesen Sie in der Ausgabe Photovoltaik Spezial Solarthemen Nr. 364.

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